Urin1010发表于2019年9月23日至15日：07
当然，没有兼容性。Duv和euv完全是两个过程。它们如何兼容？
显然，80％的产量低于标准，无法评估90％，也无法开始批量生产。
Tsmc6nm与7DUV相同，与gldcompatible相同
N6标尺设计与N7兼容（e。
g。
57mmM1间距，与N7相同）
与N7兼容的IP模型
将EUV光刻技术整合到有限的FEOL层中：“使用N7 +和N5学习，可以从N7 +获得一个或多个EUV层”
严格的过程控制，比N7更快的循环时间
相同的参考流程，填充算法等
N7
N7设计通过简单地对NUV“重新记录”（RTO）来提高EUV掩模的光刻性能。
另外，N7设计可以通过使用标准的N6单元库（H240）来实现逻辑块，从而显示新的输出（NTO），该标准的N6单元库利用单元之间的“公共PODE”设备（CPODE）。逻辑块密度增加了约18％
20年1季度的生产风险（显示13级金属互连堆栈）
此设计与N7兼容，但N6也具有自己的功能。tsmc“ M0routing”的容量也增加了40％。
我真的不知道你的消息来自哪里。